NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт
| Бүтээгдэхүүний шинж чанар | Атрибутын утга |
| Үйлдвэрлэгч: | онсеми |
| Бүтээгдэхүүний ангилал: | MOSFET |
| RoHS: | Дэлгэрэнгүй мэдээлэл |
| Технологи: | Si |
| Суулгах хэв маяг: | SMD/SMT |
| Багц/Тохиолдол: | WDFN-8 |
| Транзисторын туйлшрал: | N-суваг |
| Сувгийн тоо: | 1 суваг |
| Vds - Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл: | 30 В |
| Id - Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл: | 44 А |
| Rds On - Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл: | 7.4 мОм |
| Vgs - Хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Хаалганы эх үүсвэрийн босго хүчдэл: | 1.3 В |
| Qg - Хаалганы төлбөр: | 18.6 нС |
| Ашиглалтын хамгийн бага температур: | - 55 хэм |
| Ашиглалтын хамгийн их температур: | + 150С |
| Pd - Эрчим хүчний алдагдал: | 3.9 Вт |
| Сувгийн горим: | Сайжруулалт |
| Сав баглаа боодол: | Дамар |
| Сав баглаа боодол: | Соронзон хальс хайч |
| Сав баглаа боодол: | MouseReel |
| Брэнд: | онсеми |
| Тохиргоо: | Ганц бие |
| Бүтээгдэхүүний төрөл: | MOSFET |
| Цуврал: | NTTFS4C10N |
| Үйлдвэрийн багцын тоо: | 1500 |
| Дэд ангилал: | MOSFETs |
| Нэгж жин: | 29.570 мг |
♠ NTTFS4C10N MOSFET – Эрчим хүч, Нэг, N суваг, 8FL 30 В, 44 А
• Дамжуулалтын алдагдлыг багасгахын тулд бага RDS(асаалттай).
• Жолоочийн алдагдлыг багасгахын тулд бага багтаамжтай
• Шилжүүлгийн алдагдлыг багасгах үүднээс хаалганы цэнэгийг оновчтой болгосон
• Эдгээр төхөөрөмжүүд нь Pb−Free, Galogen Free/BFR Free, RoHS-д нийцсэн
• DC− DC хувиргагчид
• Цахилгаан ачааллын унтраалга
• Notebook Battery Management
