FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт
| Бүтээгдэхүүний онцлог | Valor de atributo |
| Үйлдвэрлэл: | онсеми |
| Бүтээгдэхүүний ангилал: | MOSFET |
| RoHS: | Деталлес |
| Технологи: | Si |
| Эстило де монтаж: | SMD/SMT |
| Пакет / Cubierta: | SSOT-3 |
| Полидад дель транзистор: | P-суваг |
| Número de canales: | 1 суваг |
| Vds - Tensión disruptiva entre kanale y fuente: | 30 В |
| Id - Corriente de kanale continua: | 2 А |
| Rds On - Resistencia entre kanale y fuente: | 63 мОм |
| Vgs - Пуэрта юүний хурцадмал байдал: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 В |
| Qg - Карга де пуэрта: | 9 nC |
| Хамгийн бага температур: | - 55 хэм |
| Хамгийн их температур: | + 150С |
| Dp - Хүч чадал буурах: | 500 мВт |
| Модо суваг: | Сайжруулалт |
| Арилжааны нэр: | PowerTrench |
| Эмпакетадо: | Дамар |
| Эмпакетадо: | Соронзон хальс хайч |
| Эмпакетадо: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Тохиргоо: | Ганц бие |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Мин.: | 5 С |
| Алтура: | 1.12 мм |
| Уртраг: | 2.9 мм |
| Бүтээгдэхүүн: | MOSFET жижиг дохио |
| Бүтээгдэхүүний төрөл: | MOSFET |
| Цаг хугацаа: | 13 ns |
| Цуврал: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Дэд ангилал: | MOSFETs |
| Транзисторын төрөл: | 1 P суваг |
| Зөвлөгөө: | MOSFET |
| Тиемпо de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Анчо: | 1.4 мм |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Песо де ла ундад: | 0.001058 унц |
♠ Нэг P суваг, PowerTrenchÒ MOSFET
Энэхүү P-Channel Logic Level MOSFET-ийг ON Semiconductor дэвшилтэт Power Tranch процессыг ашиглан үйлдвэрлэсэн бөгөөд энэ нь тухайн үеийн эсэргүүцлийг багасгахын тулд тусгайлан тохируулсан бөгөөд сэлгэн залгах өндөр гүйцэтгэлийг хангах үүднээс хаалганы цэнэг багатай байдаг.
Эдгээр төхөөрөмжүүд нь шугамын эрчим хүчний алдагдал багатай, хурдан сэлгэн залгах шаардлагатай бага хүчдэл, батерейгаар ажилладаг хэрэглээнд тохиромжтой.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 мВт @ VGS = –10 В RDS(ON) = 125 мВт @ VGS = –4.5 В
· Хаалганы цэнэг бага (ердийн 6.2 nC) · Маш бага RDS(ON)-д зориулсан өндөр гүйцэтгэлтэй суваг технологи.
· Үйлдвэрийн стандарт SOT-23 багцын өндөр хүчин чадалтай хувилбар.30%-иар илүү эрчим хүчийг зохицуулах чадвартай SOT-23-тай ижил холболттой.
· Эдгээр төхөөрөмжүүд нь Pb-гүй бөгөөд RoHS-д нийцдэг
