IKW50N65EH5XKSA1 IGBT транзистор INDUSTRY 14
♠ Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт
| Бүтээгдэхүүний шинж чанар | Атрибутын утга |
| Үйлдвэрлэгч: | Инфинеон |
| Бүтээгдэхүүний ангилал: | IGBT транзисторууд |
| Технологи: | Si |
| Багц / Кейс: | TO-247-3 |
| Суулгах хэв маяг: | Цоорхойгоор |
| Тохиргоо: | Ганц бие |
| Коллектор- Эмиттерийн хүчдэл VCEO Макс: | 650 В |
| Коллектор-эмиттерийн ханалтын хүчдэл: | 1.65 В |
| Хаалганы ялгаруулагчийн хамгийн их хүчдэл: | 20 В |
| 25 С-ийн тасралтгүй коллекторын гүйдэл: | 80 А |
| Pd - Эрчим хүчний алдагдал: | 275 Вт |
| Ашиглалтын хамгийн бага температур: | - 40 хэм |
| Ашиглалтын хамгийн их температур: | + 175 хэм |
| Цуврал: | Trenchstop IGBT5 |
| Сав баглаа боодол: | Хоолой |
| Брэнд: | Infineon Technologies |
| Хаалганы ялгаруулагчийн гүйдэл: | 100 нА |
| Өндөр: | 20.7 мм |
| Урт: | 15.87 мм |
| Бүтээгдэхүүний төрөл: | IGBT транзисторууд |
| Үйлдвэрийн багцын тоо: | 240 |
| Дэд ангилал: | IGBT |
| Худалдааны нэр: | TRENCHSTOP |
| Өргөн: | 5.31 мм |
| Хэсэг # Гадна нэр: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Нэгж жин: | 0.213383 унц |
Өндөр хурдны H5 технологийн санал
•Хэцүү сэлгэн залгах ба цуурайтсан топологиудаас хамгийн шилдэг нь
•Өмнөх үеийн IGBT-г залгаж тоглуулах
•650В-ын эвдрэлийн хүчдэл
•LowgatechargeQG
•IGBT нь бүрэн үнэлгээтэй RAPID1-тэй зэрэгцээ параллель диодтой.
•Уулзалтын дээд температур175°C
•JEDECfortarget application-уудын дагуу шаардлага хангасан
•Pb-freeleadplating;RoHS нийцтэй
•Бүрэн бүтээгдэхүүний спектр PSpiceЗагварууд: http://www.infineon.com/igbt/
•Тасралтгүй тэжээлийн хангамж
•Нарны энерги хувиргагч
•Гагнуурын хувиргагч
• Дундаас өндөрт шилжих давтамж хувиргагчид
